Módulo de accionamiento IGBT ABB FS450R12KE3/AGDR71C S

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Más detalles
Tensión colector-emisor (V_CES): 1200 V
Corriente continua de colector (I_C) a T_C=80°C, T_vj_max=150°C: 450 A
Corriente continua de colector (I_C) a T_C=25°C, T_vj_max=150°C: 600 A
Corriente de colector de pico repetitiva (I_CM): 900 A
Disipación de potencia total (P_tot): 2100 W
Voltaje pico puerta-emisor (V_GE): ±20 V
Tensión de saturación colector-emisor (V_CE_sat), típica a I_C=450A, T_vj=25°C: 1,70 V
Tensión de saturación colector-emisor (V_CE_sat), típica a I_C=450A, T_vj=125°C: 2,15 V
Tensión umbral de puerta (V_GE_th): 5,8 V típica (mín. 5,0 V, máx. 6,5 V)
Carga de puerta (Q_G): 4,30 µC típico
Resistencia de puerta interna (R_G_int): 1,7 Ω
Capacitancia de entrada (C_ies): 32,0 nF
Capacitancia de transferencia inversa (C_res): 1,50 nF
Corriente de corte colector-emisor (I_CES): 5,0 mA
Corriente de fuga puerta-emisor (I_GES): 400 nA
Corriente de cortocircuito (I_SC): 1800 A
Tensión inversa de pico repetitiva (V_RRM): 1200 V
Corriente directa continua (I_F): 450 A
Corriente directa de pico repetitiva (I_FRM): 900 A
Resistencia nominal a 25 °C (R_25): 5,00 kΩ
Factor de disipación a 25 °C (P_25): 20,0 mW
Valor B (B_25/100): 3375 K
Tensión de prueba de aislamiento (V_ISO): 2,5 kV
Distancia de fuga (terminal al disipador de calor): 14,5 mm
Espacio libre (terminal al disipador de calor): 10,0 mm
Índice de seguimiento comparativo (CTI): >225
Resistencia térmica, de la carcasa al disipador de calor para el módulo (R_th_CH): 0,005 K/W